SGT MOSFET矽普半導(dǎo)體推出SGT系列MOSFETs，與傳統(tǒng)溝槽型MOSFET相比，SGT MOSFET采用了更優(yōu)的工藝設(shè)計(jì)，內(nèi)阻低、開關(guān)損耗小，同等功耗下芯片面積可減少40%，EAS能力更強(qiáng)，具有高穩(wěn)定性和可靠性、高開關(guān)速度、更優(yōu)異的FOM等優(yōu)點(diǎn)。我們推出TO-252、TO-263、DFN2*2、DFN3*3、DFN5*6、SOP-8多種封裝外形，為客戶設(shè)計(jì)提供更多更優(yōu)選擇。SGT MOSFE作為開關(guān)器件應(yīng)用于新能源電動(dòng)車、新型光伏發(fā)電、節(jié)能家電等領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、逆變器系統(tǒng)及電源管理系統(tǒng)，是核心功率控制部件。
產(chǎn)品列表產(chǎn)品選型下載| Part Number | Package | Type | Vds | Vgs | ID Ta=25℃ | VTH | Ron@Vgs=10V Typ | Ron@Vgs=4.5V Typ | Status |
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| (V) | (V) | (A) | (V) | (mΩ) | (mΩ) | ||||
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